高低溫冷熱衝擊試驗箱半導體芯片封裝

高低溫冷熱衝(chong) 擊試驗箱半導體(ti) 芯片封裝

高低溫衝(chong) 擊試驗箱根據試驗需求及測試標準分為(wei) 三箱式和兩(liang) 箱式，區別在於(yu) 試驗方式和內(nei) 部結構不同。三箱式分為(wei) 蓄冷室，蓄熱室和試驗室，產(chan) 品在測試時是放置在試驗室。兩(liang) 箱式分為(wei) 高溫室和低溫室，是通過電機帶動提籃運動來實現高低溫的切換，產(chan) 品放在提籃裏，是隨提籃一起移動的。

高低溫冷熱衝(chong) 擊試驗箱半導體(ti) 芯片封裝

高低溫衝(chong) 擊試驗箱執行與(yu) 滿足標準:

1、GB/T2423.1-2001低溫試驗方法;

2、GB/T2423.2-2001;

3、GB/T2423.22-1989溫度變化試驗N;

4. 軍(jun) 標GJB150.3-86;

5. 軍(jun) 標GJB150.4-86;

6. 軍(jun) 標GJB150.5-86;

7、GJB150.5-86溫度衝(chong) 擊試驗;

8、GJB360.7-87溫度衝(chong) 擊試驗;

9、GJB367.2-87 405溫度衝(chong) 擊試驗;

10、SJ/T10187-91Y73係列溫度變化試驗箱--一箱式;

11、SJ/T10186-91Y73係列溫度變化試驗箱--二箱式;

12、滿足標準IEC68-2-14_試驗方法N_溫度變化;

10、GB/T 2424.13-2002試驗方法溫度變化試驗導則;

11、GB/T 2423.22-2002溫度變化;

12、QC/T17-92汽車零部件耐候性試驗一般規則;

13、EIA 364-32熱衝(chong) 擊(溫度循環)測試程序的電連接器和插座的環境影響評估。